65納米/55納米

65納米/55納米

技術簡介

中芯國際65納米/55納米邏輯技術具有高性能,節能的優勢,可以增加先進技術成本的優化及設計成功的可能性。此65納米/55納米技術的工藝元件選擇包含低漏電和超低功耗技術平臺。此兩種技術平臺都提供三種閾值電壓的元件以及輸入/輸出電壓為1.8V,2.5V和3.3V的元件,而形成一個彈性的制程設計平臺。此技術的設計規則、規格及SPICE模型已完備。55納米低漏電/超低功耗技術和65納米低漏電技術重要的單元庫已完備。

特點

工藝組件選擇

 

標準工藝組件選擇

55 納米低漏電器件

65 納米低漏電器件

核心器件

(1.2V)

高閾值電壓

標準閾值電壓

低閾值電壓

輸入輸出器件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超載 3.3V

2.5V 低載 1.8V

 

內存

單端高密度靜態內存

單端高性能靜態內存

雙端高密度靜態內存

雙端高性能靜態內存

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

應用產品

中芯國際55納米邏輯產品主要面向高性能、低功耗的應用場景,如移動應用和無線應用。

  • 移動應用

  • 無線應用

65納米/55納米無線連接知識產權組合

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